数字同时难以通过近红外（NIR）光等远程刺激来精确控制凝胶特性
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在GOS图中，数字颜色代表的值表示晶格扭曲的强度，一般来说，红色则表示位错密度较高。图2AZ31B镁合金在不同循环周期下利用KAM图计算几何位错密度值[2]3.利用GOS定性判断位错密度晶粒取向扩展(GOS)是区分DRX晶粒与变形基体以及确定再结晶晶粒面积分数的重要方法，触网在本质上，触网它是在一个单一晶粒内的平均偏差和所有测量值之间的平均差值。最后，电网笔者还偷偷告诉大家，其实EBSD这门测试并没有什么，难的是分析，也就是要对材料科学基础有相当的了解。
图3TiAl合金在经过轧制后形成的GOS图及其分布图[3]4.利用DefRex图定性判断DefRex图可以用来定性判断变形晶粒，数字亚结构以及再结晶晶粒，数字众所周知，变形晶粒内部充满了位错，亚结构的形成需要消耗并吸收部分位错，位错密度较低，但是再结晶晶粒则基本无位错形成。诚然，触网利用KAM，触网GOS图分析材料内部的位错是EBSD测试的一个重要功能，也是分析材料加工过程中变形行为的有力工具，可以助力广大研友提高文章质量和命中率。
由此可见，电网变形晶粒内部存在大量的位错，这些位错所构成的一般是变形晶界，两侧的取向差不超过2°
如果玩家在使用Pixel来进行VR体验时出现过热警告提示，数字请马上终止体验让设备充分散热后才再次进行体验，以免对手机和电池千万破坏。近日，触网美国威斯康星大学麦迪逊分校金松教授（通讯作者）提出了一个通用的模型，触网描述了在非欧几里得表面上具有螺旋位错的层状材料的生长，并表明它导致了连续扭曲的多层上部结构，证明了合成二维材料的多层的可能性，该多层材料由于存在螺旋位错和弯曲的衬底表面而在层之间具有一定的扭曲。
调整叠层双层之间的扭曲角导致莫尔图案的形成和电子态的操纵，电网从而导致对量子现象的观察，电网包括非常规的超导性、莫尔激子和可调谐的莫特绝缘体态。尽管Eshelby扭曲最近在层状锗(II)硫化物的螺旋分散纳米线上被证明，数字但对于大面积的二维材料，每层的扭曲量是相当小的。
触网最近的理论研究也表明在不断扭曲的多层结构有趣的现象被称为3Dtwistronics。电网通过生长二硫化钨（WS2）和二硒化钨（WSe2）覆盖在螺旋中心附近的纳米粒子上。